Nilvler
Нивавод
- Регистрация
- 28 Май 2008
- Сообщения
- 3,021
- Реакции
- 52
- Баллы
- 0
Elpida начинает выпуск чипов памяти DDR3 SDRAM плотностью 2 Гбит по нормам 40 нм
В октябре компания Elpida сообщила о завершении разработки чипов памяти DDR3 SDRAM плотностью 2 Гбит, рассчитанных на выпуск по нормам 40 нм, и пообещала начать массовый выпуск этой продукции еще до конца текущего года.
Ведущий японский производитель динамической памяти с произвольным доступом сдержал свое обещание — массовый выпуск 40-нанометровых чипов памяти DDR3 SDRAM плотностью 2 Гбит с пониженным энергопотреблением начался на фабрике Elpida в Хиросиме. Чтобы от первых образцов перейти к серийному производству, компании понадобилось всего два месяца.
По имеющимся данным, переход в производстве чипов памяти DDR3 SDRAM плотностью 2 Гбит от норм 50 нм к нормам 40 нм позволил увеличить выход продукции из одной пластины на 44%. При этом 100% получаемых чипов работоспособны при скорости 1,6 Гбит/с — максимальной стандартизованной скорости DDR3. Чипы памяти Elpida DDR3 SDRAM плотностью 2 Гбит, выпускаемые по нормам 40 нм, рассчитаны как на стандартное напряжение питания DDR3 SDRAM, равное 1,5 В, так и на пониженное — 1,35 и даже 1,2 В. Это положительно сказывается на их энергопотреблении.
Во втором квартале будущего года Elpida намерена освоить выпуск новой продукции на тайваньском дочернем предприятии Rexchip, чтобы снизить себестоимость производства. В зависимости от условий на рынке DRAM, Elpida также сможет перенести 40-нанометровый техпроцесс на фабрики своих партнеров — ProMOS и Winbond, чтобы дополнительно нарастить объемы выпуска.
iXBT.com
В октябре компания Elpida сообщила о завершении разработки чипов памяти DDR3 SDRAM плотностью 2 Гбит, рассчитанных на выпуск по нормам 40 нм, и пообещала начать массовый выпуск этой продукции еще до конца текущего года.
Ведущий японский производитель динамической памяти с произвольным доступом сдержал свое обещание — массовый выпуск 40-нанометровых чипов памяти DDR3 SDRAM плотностью 2 Гбит с пониженным энергопотреблением начался на фабрике Elpida в Хиросиме. Чтобы от первых образцов перейти к серийному производству, компании понадобилось всего два месяца.
По имеющимся данным, переход в производстве чипов памяти DDR3 SDRAM плотностью 2 Гбит от норм 50 нм к нормам 40 нм позволил увеличить выход продукции из одной пластины на 44%. При этом 100% получаемых чипов работоспособны при скорости 1,6 Гбит/с — максимальной стандартизованной скорости DDR3. Чипы памяти Elpida DDR3 SDRAM плотностью 2 Гбит, выпускаемые по нормам 40 нм, рассчитаны как на стандартное напряжение питания DDR3 SDRAM, равное 1,5 В, так и на пониженное — 1,35 и даже 1,2 В. Это положительно сказывается на их энергопотреблении.
Во втором квартале будущего года Elpida намерена освоить выпуск новой продукции на тайваньском дочернем предприятии Rexchip, чтобы снизить себестоимость производства. В зависимости от условий на рынке DRAM, Elpida также сможет перенести 40-нанометровый техпроцесс на фабрики своих партнеров — ProMOS и Winbond, чтобы дополнительно нарастить объемы выпуска.
iXBT.com
Но как я понимаю каждое следующее поколение ДДР потребляет всё меньше и меньше энергии, а производительность растет? А что означает эта плотность в 2 Гбит ? это пропускная способность?