Графеновый лист как сенсорная панель

[Aleksan]

Графеновый лист как сенсорная панель

Графен продолжает оставаться одним из самых таинственных и перспективных материалов в сегменте передовой электроники, открывая дверь для терагерцовых чипов и прозрачных компонентов. Новой сферой применения этого материала стали сенсорные панели, после того, как ученые южнокорейского университета Sungkyunkwan продемонстрировали 30-дюймовый графеновый лист. Модифицировав технологию химического парофазного осаждения, они напылили слой графена на медную фольгу и получили сверхтонкую сенсорную панель, которая отличается не только 90-процентной прозрачностью, но также высокой механической прочностью и продолжительным сроком службы. Данная панель по всем параметрам превосходит существующие решения на основе соединений индия. К сожалению, о планах на коммерциализацию изобретения пока ничего не говорится.
creep.ru

 

[proto]

граффен еще вроди вместо кремневых чипов процессоров будут использовать , когда тех процес дойдет с 32 нм до 10 ,

 

[Various]

10нм, даже не могу представить это.

 

[proto]

10нм, даже не могу представить это.

Компания IBM провела две серии презентаций, в которых были затронуты проблемы технологий производства полупроводниковых устройств. В лекциях под названием “Scaling Challenges: Device Architectures, New Materials, and Process Technologies” основное внимание представители IBM уделили микротехнологиям. В других под названием “Low Power/Low Energy Circuits: From Device to System Aspects” были рассмотрены вопросы снижения потребляемой мощности устройств.

В своём выступлении представитель IBM Research Division отметил, что к производству кремниевых чипов можно применить проектные нормы 15 нм, 11 нм, и даже ещё более прецизионные техпроцессы. Но для этого требуется существенно изменить существующие архитектуру полупроводниковых приборов, а также использовать так называемые полностью обеднённые транзисторы. Для “сверхтонких” техпроцессов можно применять FinFET-транзисторы, ETSOI (extremely thin SOI) и нанонити.
Как отмечается, при переходе на 15- и 11-нм техпроцессы повысить производительность микросхем с помощью микротехнологий уже не удастся на столько, сколько это позволяют чипы 32- и 22-нм поколений. В чипах “10-нм класса” снижения удельной потребляемой мощности в расчете на производительность IBM планирует добиться за счет масштабирования длины затвора, ширины канала транзистора и напряжения питания.

По прогнозам IBM, в ближайшее десятилетие мы станем свидетелями грандиозного увеличения количества элементов в полупроводниковых микросхемах – от 50 до 100 и более миллиардов.

 

[СтеклышеК]

10нм, даже не могу представить это.

а 32 дак можешь? Я только миллиметры себе представляю, ну или чуть меньше, то что можно увидеть.

Жаль что очень хорошие и нужные изобретения остаются в стеллажах до лучших времён. Думаю часть проблем у ноутбуков можно было бы сразу решить и сразу сделать качественные сенсорные экраны, которые бы стоили не так дорого.

 

[Various]

Я представляю колличество транзисторов на единицу площади, 40 и32 разница не велика в цифрах, а вот 32 и 10 тут как-то нет. Хотя я думаю во время 90 нм так думали и про 45нм

 

[СтеклышеК]

Офф. Кстати, а какой был первый техпроцесс?

 

[Various]

Первые ЭВМ на лампах были, черт их знает какой там ТП, для микропроцессоров помнится рассказывали в институте то-ли 3, то-ли 30мкм