Hynix анонсировала чип DRAM DDR4 и модуль памяти на его основе
В начале текущего года о создании первого модуля памяти DDR4 сообщала компания Samsung. Теперь успех южнокорейского гиганта повторила и, по ее собственным словам, превзошла корпорация Hynix Semiconductor. Инженеры Hynix получили промышленный образец чипа DDR4 30-нм класса и на его основе создали модуль памяти объемом 2 Гбайт, соответствующий требованиям стандарта JEDEC DDR4-2400. Модуль выполнен в формате SODIMM, наделен функцией проверки и коррекции ошибок (ECC) и предназначен для использования в микросерверах.
Представители Hynix заявляют, что новинка с легкостью покоряет рубеж в 2400 МГц, опережая конкурента от Samsung, который при таком же напряжении питания — 1,2 В — функционирует на частоте 2133 МГц. Hynix также заявляет о 80% росте производительности по сравнению с собственной линейкой DDR3 1333 МГц, а также снижении энергопотребления за счет применения более совершенного техпроцесса. Пропускная способность представленных модулей находится в пределах 19,2 Гбайт/с. Начало массового производства новинки намечено на вторую половину 2012 года. Производитель, по словам директора по маркетингу Джибум Кима (Ji-Bum Kim), готовит широкий ассортимент модулей памяти DDR4, которые будут востребованы не только в сегменте серверов и настольных ПК, но и на рынке планшетов.
Аналитическая компания IHS-iSuppli прогнозирует увеличение рыночной доли модулей памяти стандарта DDR3 в 2012 году до 71% с дальнейшим снижением до 49% в 2014 году, а уже в 2015 году половина рынка DRAM придется на модули DDR4.
Источник: 3DNews
В начале текущего года о создании первого модуля памяти DDR4 сообщала компания Samsung. Теперь успех южнокорейского гиганта повторила и, по ее собственным словам, превзошла корпорация Hynix Semiconductor. Инженеры Hynix получили промышленный образец чипа DDR4 30-нм класса и на его основе создали модуль памяти объемом 2 Гбайт, соответствующий требованиям стандарта JEDEC DDR4-2400. Модуль выполнен в формате SODIMM, наделен функцией проверки и коррекции ошибок (ECC) и предназначен для использования в микросерверах.
Представители Hynix заявляют, что новинка с легкостью покоряет рубеж в 2400 МГц, опережая конкурента от Samsung, который при таком же напряжении питания — 1,2 В — функционирует на частоте 2133 МГц. Hynix также заявляет о 80% росте производительности по сравнению с собственной линейкой DDR3 1333 МГц, а также снижении энергопотребления за счет применения более совершенного техпроцесса. Пропускная способность представленных модулей находится в пределах 19,2 Гбайт/с. Начало массового производства новинки намечено на вторую половину 2012 года. Производитель, по словам директора по маркетингу Джибум Кима (Ji-Bum Kim), готовит широкий ассортимент модулей памяти DDR4, которые будут востребованы не только в сегменте серверов и настольных ПК, но и на рынке планшетов.
Аналитическая компания IHS-iSuppli прогнозирует увеличение рыночной доли модулей памяти стандарта DDR3 в 2012 году до 71% с дальнейшим снижением до 49% в 2014 году, а уже в 2015 году половина рынка DRAM придется на модули DDR4.
Источник: 3DNews
