Intel начала серийное производство 22-нм процессоров Ivy Bridge

[sezam]

Intel начала серийное производство 22-нм процессоров Ivy Bridge

Компания Intel объявила о том, что массовое производство 22-нанометровых процессоров, известных под кодовым названием Ivy Bridge, было начато в третьем квартале. В ходе своего интервью генеральный директор компании Пол Отеллини (Paul Otellini) отметил, что переход на 22-нм технологический процесс возвещает наступление эры 3D-транзисторов, которые отплатят будущим поколениям приростом производительности и более низким энергопотреблением.



По оценке Intel, новая технология позволяет достичь на 37% большей производительности при более низком напряжении питания по сравнению с 32-нм планарными транзисторами. Это обеспечивает снижение потребление энергии вдвое при том же уровне производительности. К другим преимуществам транзисторов 3-D Tri-gate относятся улучшенные характеристики переключения и более высокий управляющий ток.

При этом разница в стоимости компонентов составляет всего 2-3%.

источник

 

[duc]

К другим преимуществам транзисторов 3-D Tri-gate относятся улучшенные характеристики переключения и более высокий управляющий ток.

Более высокий управляющий? Разве это преимущество? Может управляемый?

 

[kashakru]

INTEL фореве!!!!!

 

[duc]

20 лет назад инженеры IBM прославились на весь мир тем, что выложили из атомов ксенона логотип своей компании

 

[sezam]

Более высокий управляющий? Разве это преимущество? Может управляемый?

Intel 3D Tri-Gate — это новая версия транзистора, в которой на смену традиционному плоскому слою затвора пришла тончайшая кремниевая пластина, устанавливаемая перпендикулярно. Прохождение тока теперь контролирует трехмерный затвор, который регулирует состояние транзистора в нескольких плоскостях — как сверху, так и с боковых сторон. В прежней версии транзистора использовался затвор, регулирующий состояние только в одной плоскости — сверху. Применение дополнительных затворов позволяет обеспечить максимальную величину тока во включенном состоянии, а в выключенном — максимально приблизить ее к нулю. В результате этого сокращается потребление энергии и ускоряется переключение транзисторов.

и немножко теории:


как видим, транзистор имеет 3D-структуру.

Производительность короткого канала транзистора определяется отношением фактического значения LG к фактическому значению WSi. Масштабирование WSi обеспечивает дополнительное улучшение электростатики транзистора совместно с масштабированием LG, а также с масштабированием перехода исток/сток и диэлектрика затвора. Общий групповой управляющий ток транзистора равен сумме управляющих токов транзистора с верхним затвором и двух транзисторов с боковыми затворами, или 2HSi +WSi. Таким образом, чем выше транзистор, тем больше общий групповой управляющий ток.
Транзисторы Intel 3-D Tri-Gate позволяют создавать процессоры, работающие на меньших значениях напряжения и с меньшими токами утечки, благодаря чему достигаются беспрецедентный уровень энергоэффективности и значительный прирост скорости работы в сравнении с существующими чипами. Новые возможности расширяют поле для работы конструкторов, помогая им создавать идеальные решения для различных сфер.
Ну это в теории, а как будет на практике я надеюсь мы с вами, друзья, увидим уже в ближайшае время )))

 

[duc]

За счёт того, что полевые транзисторы управляются полем (величиной напряжения приложенного к затвору), а не током, протекающим через базу (как в биполярных транзисторах), полевые транзисторы потребляют значительно меньше энергии

Это не я, это википедия... Возможно "Трудности перевода"

 

[Phrancisco]

Народ еще Pentium 4 и Duron пользует ) а у них уже 22 нанометра!Блин,только собрался Sandy Bridge покупать )

 

[sezam]

Уважаемый duc в отношении полевых транзисторов ваши утверждения совершенно верны! )) но биполярные транзисторы управляются как раз током. Биполярные транзисторы представляют собой токоуправляемые регуляторы тока. Другими словами, они ограничивают количество проходящего через них тока в соответствии с меньшим управляющим током(относительно тока коллектора), тобеш чем меньше управляющий ток, или ток базы, тем тем меньше ток коллектора, и следовательно наоборот, чем выше ток базы, тем больше ток коллектора. Транзистор работает как регулятор тока, в котором посредством изменения малого тока базы, можно управлять значительно большим током коллектора. Количество тока, протекающего через коллектор определяется в первую очередь током, движущемся между базой и эмиттером(управляющим). Я так понимаю имелось в виду именно это, когду упоминалось о большем управляющем токе. Но на все 100% я тоже не уверен так как не могу точно сказать какого вида транзисторы применяются при изготвлении кристалла процессора)))

 

[duc]

В прежней версии транзистора использовался затвор, регулирующий состояние только в одной плоскости — сверху. Применение дополнительных затворов позволяет обеспечить максимальную величину тока во включенном состоянии, а в выключенном — максимально приблизить ее к нулю. В результате этого сокращается потребление энергии и ускоряется переключение транзисторов.

Это не мои слова, а раз затвор - о каком биполярном транзисторе может идти речь?

 

[sezam]

IGBT транзистор(биполярный транзистор с изолированным затвором) -- Транзисторы, выполненные по специальной технологии, позволяющей сочетать все преимущества полевых и биполярных транзисторов. Характеризуются малой требуемой мощностью управляющего сигнала и возможностью коммутировать большие токи. -- Но это так, к слову.
Судя по всему речь опять таки идет о неком гибридном транзисторе, иначе как объяснить наличие управляющего тока, тем более что об этом говорят несколько источников. Вот часть статьи

Для решения проблемы утечки транзисторов в закрытом состоянии в 2002 году корпорация Intel разработала первый в мире транзистор CMOS tri-gate, в котором применялась новаторская трехмерная конструкция затвора, позволяющая повысить управляющий ток и снизить ток утечки транзистора в закрытом состоянии. С тех пор компания Intel добилась улучшения эксплуатационных характеристик транзисторов и эффективности использования электроэнергии путем объединения конструкции tri-gate с другими кремниевыми производственными технологиями и инновационными материалами, включая напряженный кремний, диэлектрики затвора high-k, металлические электроды затвора и эпитаксиальные рельефные истоки/стоки.В результате был создан непланарный транзистор, который обеспечивает увеличение управляющего тока на 30% для транзисторов NMOS и на 60% для транзисторов PMOS по сравнению с оптимизированными передовыми 65-нм планарными транзисторами при том же уровне утечки в закрытом состоянии. Этот результат показывает, что преимущества различных полупроводниковых инноваций дополняют друг друга и их можно объединять, чтобы расширять и продолжать тенденции масштабирования и увеличения производительности транзисторов CMOS.

статья польностью
Так что вряд-ли можно списать "управляющий ток" на опечатку или неправильный перевод.