Определить глубину исток-стоковых областей n- и p-канальных транзисторов
Необходимо определить глубину исток-стоковых
областей n- и p-канальных транзисторов, считая для случая n+ –
областей разгонку из бесконечно-тонкого источника, параметры
загонки которой определены диффузией из постоянного
источника за время загонки.
Маршрут КМОП для НЭЧ (несамосовмещённый вариант)
Микросхемы для НЭЧ где источником питания является
маломощная батарейка, должны потреблять мало тока (для чего
используем КМОП элементную базу) и работать при условии, что
сумма пороговых напряжений КМОП транзисторов не может быть
больше напряжения питания батарейки, равной ЕП = 1.5В.
Подложка КЭФ 20 (100), N ~ 2.5*1014 см-3
1. Х/О
2. Окисление 1000оС вл. О2 d=0,3мкм (поверхность для проведения
фотолитографии)
3. Ф/л “карман” (создание областей расположения n-канальных
транзисторов)
4. Травление SiO2 (HF:NH4F:H2O - буферный травитель)
5. ИИ В D=0,9мкк/см2 Е=100кэв (Доза определяется значением VT и UПР
NMOS тр-ра)
6. Снятие резиста
7. Х/О
8. Разгонка кармана 1200оС t t =?, xj =?, О2+N2 (О2 - для формирования
метки)
9. Снятие SiO2
10. Х/О
11. Окисление 1000оС сух. О2 d = 425Ао
(формирование малодефектной
границы раздела Si-SiO2), (Более сильное окисление приводит к обеднению
поверхности бором)
12. Нанесение SiO2 из ТЭОС d = 0,6мкм (маска при последующей
диффузии)
13. Ф/л “исток-сток n-канальных транзисторов” (одновременно
формируются противоинверсионные области для изоляции р- канальных
транзисторов)
14. Травление SiO2
15. Снятие резиста
16. Х/О
17. Диффузия из хим. источника (жидкий источник POCl3) 1000оC
10мин до NМАКС =5*1021 см-3
(диффузия из постоянного источника)
18. Снятие ФСС в буферном травителе 30 сек (скорость травления ФСС
значительно больше, чем SiO2, поэтому SiO2 остается везде кроме вскрытого
кремния, на него легко наложить резист)
19. Ф/л “исток-сток p-канальных транзисторов” (одновременно
формируются противоинверсионные области для изоляции n - канальных
транзисторов)
20. Травление SiO2
21. ИИ В Q = 300мкк/см2 Е=80кэв (Большая доза необходима для
омического контакта)
22. ПХУФ (Вследствие сильного задубливания резиста)
23. Х/О
24. Отжиг 1000С N2 60 мин (восстановление решетки кремния)
25. Снятие SiO2
26. Х/О
27. Окисление под затвор 1000С сух. О2 с HCl d=0,1 мкм (HCl – для
очистки от примесей металлов, которые связываются хлором).
28. Ф/л “контакты”
29. Травление SiO2 d = 0,1мкм
30. Снятие резиста
31. Х/О (освежение 1 HF) (удаление естественного окисла в контактных
окнах)
32. Нанесение Al d = 1 мкм (вследствие большой глубины стоков
лучше использовать чистый Al)
33. Ф/л “разводка + затвор”
34. Травление Al d=1 мкм (Смесь ортофосфорной и азотной кислоты)
35. Нанесение ФСС 430С d=1,0 мкм, содержание фосфора в SiO2 -
35% (ограничения: эффективность геттерирования Na и образование
ортофосфорной кислоты из – за влаги в окружающей среде)
36. Ф/л “площадки”
37. Травление ФСС до Al
38. Снятие резиста
39. Вжигание Al 430С 30' H2+N2
Необходимо определить глубину исток-стоковых
областей n- и p-канальных транзисторов, считая для случая n+ –
областей разгонку из бесконечно-тонкого источника, параметры
загонки которой определены диффузией из постоянного
источника за время загонки.
Маршрут КМОП для НЭЧ (несамосовмещённый вариант)
Микросхемы для НЭЧ где источником питания является
маломощная батарейка, должны потреблять мало тока (для чего
используем КМОП элементную базу) и работать при условии, что
сумма пороговых напряжений КМОП транзисторов не может быть
больше напряжения питания батарейки, равной ЕП = 1.5В.
Подложка КЭФ 20 (100), N ~ 2.5*1014 см-3
1. Х/О
2. Окисление 1000оС вл. О2 d=0,3мкм (поверхность для проведения
фотолитографии)
3. Ф/л “карман” (создание областей расположения n-канальных
транзисторов)
4. Травление SiO2 (HF:NH4F:H2O - буферный травитель)
5. ИИ В D=0,9мкк/см2 Е=100кэв (Доза определяется значением VT и UПР
NMOS тр-ра)
6. Снятие резиста
7. Х/О
8. Разгонка кармана 1200оС t t =?, xj =?, О2+N2 (О2 - для формирования
метки)
9. Снятие SiO2
10. Х/О
11. Окисление 1000оС сух. О2 d = 425Ао
(формирование малодефектной
границы раздела Si-SiO2), (Более сильное окисление приводит к обеднению
поверхности бором)
12. Нанесение SiO2 из ТЭОС d = 0,6мкм (маска при последующей
диффузии)
13. Ф/л “исток-сток n-канальных транзисторов” (одновременно
формируются противоинверсионные области для изоляции р- канальных
транзисторов)
14. Травление SiO2
15. Снятие резиста
16. Х/О
17. Диффузия из хим. источника (жидкий источник POCl3) 1000оC
10мин до NМАКС =5*1021 см-3
(диффузия из постоянного источника)
18. Снятие ФСС в буферном травителе 30 сек (скорость травления ФСС
значительно больше, чем SiO2, поэтому SiO2 остается везде кроме вскрытого
кремния, на него легко наложить резист)
19. Ф/л “исток-сток p-канальных транзисторов” (одновременно
формируются противоинверсионные области для изоляции n - канальных
транзисторов)
20. Травление SiO2
21. ИИ В Q = 300мкк/см2 Е=80кэв (Большая доза необходима для
омического контакта)
22. ПХУФ (Вследствие сильного задубливания резиста)
23. Х/О
24. Отжиг 1000С N2 60 мин (восстановление решетки кремния)
25. Снятие SiO2
26. Х/О
27. Окисление под затвор 1000С сух. О2 с HCl d=0,1 мкм (HCl – для
очистки от примесей металлов, которые связываются хлором).
28. Ф/л “контакты”
29. Травление SiO2 d = 0,1мкм
30. Снятие резиста
31. Х/О (освежение 1 HF) (удаление естественного окисла в контактных
окнах)
32. Нанесение Al d = 1 мкм (вследствие большой глубины стоков
лучше использовать чистый Al)
33. Ф/л “разводка + затвор”
34. Травление Al d=1 мкм (Смесь ортофосфорной и азотной кислоты)
35. Нанесение ФСС 430С d=1,0 мкм, содержание фосфора в SiO2 -
35% (ограничения: эффективность геттерирования Na и образование
ортофосфорной кислоты из – за влаги в окружающей среде)
36. Ф/л “площадки”
37. Травление ФСС до Al
38. Снятие резиста
39. Вжигание Al 430С 30' H2+N2
