• Добро пожаловать на компьютерный форум Tehnari.ru. Здесь разбираемся с проблемами ПК и ноутбуков: Windows, драйверы, «железо», сборка и апгрейд, софт и безопасность. Форум работает много лет, сейчас он переехал на новый движок, но старые темы и аккаунты мы постарались сохранить максимально аккуратно.

    Форум не связан с магазинами и сервисами – мы ничего не продаём и не даём «рекламу под видом совета». Отвечают обычные участники и модераторы, которые следят за порядком и качеством подсказок.

    Если вы у нас впервые, загляните на страницу о форуме и правила – там коротко описано, как задать вопрос так, чтобы быстро получить ответ. Чтобы создавать темы и писать сообщения, сначала зарегистрируйтесь, а затем войдите под своим логином.

    Не знаете, с чего начать? Создайте тему с описанием проблемы – подскажем и при необходимости перенесём её в подходящий раздел.
    Задать вопрос Новые сообщения Как правильно спросить
    Если пришли по старой ссылке со старого Tehnari.ru – вы на нужном месте, просто продолжайте обсуждение.

Правильно ли я понимаю принцип регулировки напряжения в БП?

  • Автор темы Автор темы Erling
  • Дата начала Дата начала

Erling

Ученик
Регистрация
23 Мар 2012
Сообщения
1
Реакции
0
Баллы
0
Правильно ли я понимаю принцип регулировки напряжения в БП?

Пытаюсь понять вот эту схему:

bf4a52826da9.gif

Прошу помощи :)

Что и как делают трансформатор, диодный мост и конденсатор мне в целом ясно, вопросы касаются регулировки выходного напряжения. Я понимаю работу схемы так:

1) Чем меньше "верхняя" по схеме часть сопротивления R2 (та часть, которая включена в цепь базы), тем во-первых ниже сопротивление в цепи базы VT1, а во-вторых выше положительный потенциал на базе VT1. И то, и другое ведёт к увеличению тока базы VT1 и увеличению проводимости эмиттер-коллектор VT1.
2) Сопротивление э-к VT1 и R3 образуют делитель напряжения. Чем выше проводимость э-к VT1, тем выше падение напряжение на R3.
3) Чем выше падение напряжения на R3, тем выше положительный потенциал на базе VT2 (т.к. падение напряжения на R3 обращено плюсом к базе VT2). Тем, соответственно, выше ток базы VT2 и тем выше проводимость э-к VT2.
4) Сопротивление э-к VT2 и нагрузка образуют делитель напряжения. Чем выше проводимость э-к VT2, тем выше падение напряжения на нагрузке, т.е. выходное напряжение.

Таким образом логика регулировки такова:
"Верхняя" часть сопротивления R2 уменьшается -> уменьшается сопротивление в цепи базы VT1 -> увеличивается ток базы VT1 -> увеличивается проводимость э-к VT1 -> уменьшается падение напряжения э-к VT1 -> увеличивается падение напряжения на R3 -> увеличивается положительный потенциал на базе VT2 -> увеличивается ток базы VT2 -> увеличивается проводимость э-к VT2 -> уменьшается падение напряжения э-к VT2 -> увеличивается падение напряжения на нагрузке.
При увеличении "верхней" части сопротивления R2, соответственно, всё наоборот.

То есть изменение "верхней" части сопротивления R2 опосредованно управляет проводимостью VT2 и делителем напряжения, образованным VT2 и нагрузкой. А значит, управляет напряжением на нагрузке, т.е. выходным напряжением.

И ещё насчёт делителя напряжения D1 и R1. Правильно ли я понимаю, что его функции чисто стабилизационные? При скачке напряжения (при его увеличении) напряжение на стабилитроне останется прежним, а на резисторе увеличится. При этом "минус" напряжения на резисторе будет обращён к базе VT1, что уменьшит проводимость э-к VT1 (и, как следствие, проводимость э-к VT2). Таким образом можно сказать, что делитель D1 и R1 образуют цепь ООС: при увеличении напряжения (которое без ООС привело бы к увеличению тока в нагрузке и увеличению напряжения на нагрузке) эта цепь уменьшит проводимость э-к VT1 (и проводимость э-к VT2). Тогда увеличившееся сопротивление э-к VT2 "перетянет" на себя часть напряжения с нагрузке и ограничит ток, тем самым скомпенсировав скачок.

Верно ли написанное выше?
 
Зачем же так сложно?
Достаточно представить транзисторы Т1 и Т2 как один составной, это эмиттерный
повторитель, у которого главное свойство - усиление по току, он просто повторяет
на эмиттере Uбазы, точнее Uэ=Uб-Uбэ (Uбэ=1...1,4В). Грубо говоря уменьшает внутреннее сопротивление
опорного напряжения образованного стабилитроном и R1.
Кстати R3 лучше включить между базой и эмиттером Т2 и уменьшить до 100 ом, параллельно стабилитрону
электролитик на 50-100 мкф.
 
Последнее редактирование:
Ещё, базу транзистора Т1 нужно заземлить керамикой 0,22...0,47 мкф,
т.е. между базой Т1 и минусом должен стоять кондёрчик. Это уменьшит
внутреннее сопротивление стабилизатора по переменке, т.е. при резком изменении тока
нагрузки он меньше будет "проседать".
 
Назад
Сверху