• Добро пожаловать на компьютерный форум Tehnari.ru. Здесь разбираемся с проблемами ПК и ноутбуков: Windows, драйверы, «железо», сборка и апгрейд, софт и безопасность. Форум работает много лет, сейчас он переехал на новый движок, но старые темы и аккаунты мы постарались сохранить максимально аккуратно.

    Форум не связан с магазинами и сервисами – мы ничего не продаём и не даём «рекламу под видом совета». Отвечают обычные участники и модераторы, которые следят за порядком и качеством подсказок.

    Если вы у нас впервые, загляните на страницу о проекте, чтобы узнать больше. Чтобы создавать темы и писать сообщения, сначала зарегистрируйтесь, а затем войдите под своим логином.

    Не знаете, с чего начать? Создайте тему с описанием проблемы – подскажем и при необходимости перенесём её в подходящий раздел.
    Задать вопрос Новые сообщения Как правильно спросить
    Если пришли по ссылке со старого Tehnari.ru – вы на нужном месте, просто продолжайте обсуждение.

Электронейтральность базы

  • Автор темы Автор темы Abraziv
  • Дата начала Дата начала
A

Abraziv

Ученик
Почётный участник
Регистрация
28 Июл 2011
Сообщения
275
Реакции
2
Баллы
0
Электронейтральность базы

Всем привет. Изучаю работу биполярного транзистора, непонятны некоторые процессы в базе. Остановлюсь на том , что не понятно. ....В процессе диффузии через базу инжектированные неосновные носители рекомбинируют с основными носителями в базе. Для восполнения прорекомбинировавших основных носителей в базе через внешний контакт должно подойти такое же количество носителей. Таким образом, ток базы – это рекомбинационный ток.....

Вопрос номер 1. А если в базе не будут пополнять основные носители заряда в базе , будет ли дальше диффундировать ток эмиттера????

Вопрос номер 2. Получается что внешним резистором в цепи базы , мы контролируем (задаём) необходимое количество носителей заряда для восполнения носителей после рекомбинации (упираемся в 1ый вопрос) ???

Но если ответ на 1 вопрос будет - "да" , то тогда цепь прямо смещенного эмиттерного перехода будет не замкнута и по идеи протекать ток не будет , так????
 
Последнее редактирование:
Abraziv написал(а):
Вопрос номер 1. А если в базе не будут пополнять основные носители заряда в базе , будет ли дальше диффундировать ток эмиттера????

Вопрос номер 2. Получается что внешним резистором в цепи базы , мы контролируем (задаём) необходимое количество носителей заряда для восполнения носителей после рекомбинации (упираемся в 1ый вопрос) ???

Но если ответ на 1 вопрос будет - "да" , то тогда цепь прямо смещенного эмиттерного перехода будет не замкнута и по идеи протекать ток не будет , так????
Нажмите для раскрытия...

1- Нет
2- Да
3- Нет, в прямо смещённом переходе протекает ток.
 
Извините а можете по подробнее ответить на первый вопрос ??? Или пнуть куда нибудь . Спасибо.
 
То , что есть в интернете и книгах - это :

Процесс переноса инжектированных носителей через базу – диффузионный. Характерное расстояние, на которое неравновесные носители распространяются от области возмущения, – диффузионная длина Lp. Поэтому если
необходимо, чтобы инжектированные носители достигли коллекторного пе-
рехода, длина базы W должна быть меньше диффузионной длины Lp. Условие
W < Lp является необходимым для реализации транзисторного эффекта –
управления током во вторичной цепи через изменение тока в первичной цепи.
В процессе диффузии через базу инжектированные неосновные носители
рекомбинируют с основными носителями в базе. Для восполнения прорекомбинировавших основных носителей в базе через внешний контакт должно подойти такое же количество носителей. Таким образом, ток базы – это ре-
комбинационный ток.
Продиффундировавшие через базу без рекомбинации носители попадают
в электрическое поле обратно смещенного коллекторного p-n перехода и экс-
трагируются из базы в коллектор. Таким образом, в БТ реализуются четыре
физических процесса:
– инжекция из эмиттера в базу;
– диффузия через базу;
– рекомбинация в базе;
– экстракция из базы в коллектор.
Эти процессы для одного типа носителей

Интересуют именно подробнее , слишком мало.
 
Вот если это так легко найти в нете, то вам наверное не составит труда ответить почему без пополнения прорекомбенированных зарядов в базе не будет дальше протекать эмиттерный ток и соответственно ток базы.
 
Для понимания процесса предлагаю рассмотреть P-N переход.
В свободном состоянии основные носители из P и N областей устремляются (1) на
встречу друг другу. На границе областей происходит рекомбинация (2), эта область истощается. В ней начинают преобладать неосновные носители имеющиеся в любом полупроводнике, возникает "объёмный потенциал" - E, препятствующий
дальнейшему продвижению основных носителей. Для разных материалов от разный,
Германий около 0,2-0,3 V, кремний - 0,56 V. Для протекания тока через PN переход
в прямом направлении, нужно преодолеть его "объёмный потенциал".
В транзисторах база-эмиттерный PN переход, точнее база делается очень тонкой,
Носители попавшие из эмиттера частично рекомбинируют в базе, основная часть их
"подхватывается" полем коллектора и движется далее в коллектор.
Прекращение тока через база-эмиттерный переход означает что приложенный потенциал
ниже "объёмного потенциала".
 
Что то рисунок не подгружается.
 
Спасибо, но это всё понятно. Имеется введу , что допустим имеется npn транзистор , транзистор загнали в активный режим. Из эмиттера в базу происходит обильная инжекция неосновных носителей заряда , которые накапливаются вблизи эмиттерного перехода со стороны базы. У коллекторного перехода со стороны базы концентрация электронов близка к нулю , так как там действует электрическое поле, перебрасывающее электроны из базы в коллектор ( экстракция ) . Значит в базе имеется градиент концентрации ( диффузия) ,по средством которой электроны продвигаются в глубь базы и так как ширина базы меньше диффузионной длины, то не успев рекомбинировать они пролетают к коллекторному переходу и экстрагируют , более медленные электроны всё же рекомбинируют в базе и база становится более положительной , для восстановления электронейтральности, из внешнего источника приходят новые дырки. Вот это для меня не понятно, хотя сам написал об этом. Туплю похожу.tehnobanka
 
Abraziv написал(а):
"Объёмного заряда" наверное вы имели введу, потенциал больше к узлам подходит.
Нажмите для раскрытия...

Да заряда, ну Вы же поняли что я имел в виду.
В производстве транзисторов всегда стараются эмиттер сделать n+, базу p+,
т.е. сильно легированные, а коллектор ... Вот тут противоречие, слабо легированный
получаем Uкб обр хороший, но увеличивается сопротивление и выделяемая им
мощность, сильно легированный - имеем малые потери, но низкое U кб обр.
 
Всё равно никто на вопрос не ответил tehno014
 
Abraziv написал(а):
Т в БТ реализуются четыре
физических процесса:
– инжекция из эмиттера в базу;
– диффузия через базу;
– рекомбинация в базе;
– экстракция из базы в коллектор.
Эти процессы для одного типа носителей

Интересуют именно подробнее , слишком мало.
Нажмите для раскрытия...

Я думаю что процессов там гораздо больше, а за подробностями следует
идти с библиотеку, если в инете нет. Удачи..!
 
Вот собственно , здесь я и спросил, т.к. авторы книг как будто жуют одно и тоже :tehnari_ru_325:
 
Abraziv написал(а):
Вот собственно , здесь я и спросил, т.к. авторы книг как будто жуют одно и тоже :tehnari_ru_325:
Нажмите для раскрытия...

Авторы книг "копируют" друг друга, если Вам нужна "Истина", то придется
поискать эксклюзив... М..да, вот предвижу стадию когда фундаментальными
знаниям начнут торговать как золотом, и дороже.
 
Да скорее всего вы правы , либо профи на форуме смеются над мои вопросом , либо незнаю ..... Есть книжка одна на примете ( серьёзная) , но я её всё откладывал на потом, т.к. её лёжа на диване не почитаешь , Пасынков - полупроводниковые приборы . Придётся брать её в руки и читать .
 
Войдите или зарегистрируйтесь для ответа.
Назад
Сверху