Коэффициент насыщения s равен отношению тока базы к току базы насыщения ( s = Iб/Iбнас ) . Ток Iбнас это ток , при котором ток коллектора перестаёт быть зависимым от тока базы , т.е. соотношение Iк = B * Iб , не выполняется, а выполняется неравенство Iк < B * Iбнас , если посмотрите на ВАХ (Iк,Uкэ ) .........................................
на практике принято брать s = 1.5 - 2 . .......
Призрачный параметр, зависящий от тока коллектора, т.е. нагрузки.
Я его учитываю только для режима коммутации (статика), т.е. транзистор работает
как включатель, не более того.
На практике для динамической нагрузки и быстрых переключений, (обмотка
транса ИБП к примеру), я это обхожу простым решением, диод от базы на
коллектор, можно Шоттки если позволяет схема.
К сожалению Uкэ нас = 0,1 - 0,2 В характерен для ВЧ и СВЧ транзисторов
и зависит от тока коллектора, ибо на R коллектора падает напряжение.
Мне не удавалось получить для КТ817 Uкэ нас ниже 0,4 В для Iк = 2-3А.