Включение семисегментных индикаторов

[vladka2006]

P.S.
Заметить это превышение Вашим "термометром" практически невозможно, поскольку и сам транзистор-датчик вносит большую погрешность, являясь теплоотводом.

Возможно у меня разница температур получилась из-за длительной работы в непрерывном режиме (В некоторых случаях у меня длительность работы достигала до 4 часов). Да и разница нагрева была не на всех транзисторах (если честно то только на трех) и эта разница не превышала 6 градусов.

 

[Viewer]

Или транзистор был не в насыщении, т.е. Вы не обеспечили этот режим.

 

[vladka2006]

Или транзистор был не в насыщении, т.е. Вы не обеспечили этот режим.

А может быть и такое, я вот вчера читал в книжке, что при расчете резистора базы, ток базы необходимо увеличивать, так чтобы транзистор наверняка переходил в режим насыщения, а я изначально этого не учитывал. На выходных проверю еще раз но уже с увеличенным током базы, хорошо что транзисторы все остались отобраны /и те что грелись тоже/.

 

[Viewer]

Я Вам для чего пост #39 сделал?
Там все написано, кроме выбора резистора в базе и напряжения управления.

 

[Viewer]

Схема испытаний и измерений, с учетом вышеизложенного:


1. Баланс напряжений в коллекторной цепи.
Epwr = Iled * R1 + Uled + Uce_sat;

Отсюда R1 = (Epwr - Uled - Uce_sat) / Iled = (5 - 2 - 0.15) / 0.01 = 290 Ом.
Выбираем ближайшее стандартное значение по ряду Е24 R1 = 300 Ом.

2. Баланс напряжений в базовой цепи.
Epwr = Ib * Rb + Ube_sat;
Базовый ток выберем по справочнику равным Ibe_sat = 1 мА, при этом, напряжение насыщения база-эмиттер Ube_sat = 1 В.
Отсюда Rb = (Epwr - Ube_sat) / Ib = (5 - 1) / 0.001 = 4 кОм.
Выбираем ближайшее стандартное значение по ряду Е24 Rb = 3.9 kОм.

3. Транзистор 2N5551, h21e = 80

Обозначения:

Epwr - напряжение питания;
Iled - желаемый ток через светодиод;
Uled - напряжение на светодиоде при токе Iled;
Uce_sat - напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе Iled;
R1 - сопротивление в коллекторе для ограничения тока светодиода до Iled;
Ib - ток базы транзистора;
Rb - сопротивление в базе транзистора;
Ube_sat - напряжение насыщения база-эмиттер при токе Ib;

Выполняем моделирование, изменяя напряжение питания от 0 до 5 В.
(обсуждение результатов - позже)

 

[vladka2006]

Я Вам для чего пост #39 сделал?
Там все написано, кроме выбора резистора в базе и напряжения управления.

Я извиняюсь, проявил невнимательность.

 

[Viewer]

Я извиняюсь, проявил невнимательность.

При напряжении питания 5 В, имеем на графиках, сверху-вниз:
- падение напряжения на транзисторе (0.06 В);
- ток через резистор R1 (ток светодиода 10 мА);
- мощность, рассеиваемая на транзисторе (1.6 мВт).

Далее, продолжаем? Или на этом остановка?
"До конца еще не скоро" (С).