• Добро пожаловать на компьютерный форум Tehnari.ru. Здесь разбираемся с проблемами ПК и ноутбуков: Windows, драйверы, «железо», сборка и апгрейд, софт и безопасность. Форум работает много лет, сейчас он переехал на новый движок, но старые темы и аккаунты мы постарались сохранить максимально аккуратно.

    Форум не связан с магазинами и сервисами – мы ничего не продаём и не даём «рекламу под видом совета». Отвечают обычные участники и модераторы, которые следят за порядком и качеством подсказок.

    Если вы у нас впервые, загляните на страницу о форуме и правила – там коротко описано, как задать вопрос так, чтобы быстро получить ответ. Чтобы создавать темы и писать сообщения, сначала зарегистрируйтесь, а затем войдите под своим логином.

    Не знаете, с чего начать? Создайте тему с описанием проблемы – подскажем и при необходимости перенесём её в подходящий раздел.
    Задать вопрос Новые сообщения Как правильно спросить
    Если пришли по старой ссылке со старого Tehnari.ru – вы на нужном месте, просто продолжайте обсуждение.

Расчет параметров транзистора и усилительного каскада в режиме малого сигнала

Вики_55

Ученик
Регистрация
20 Апр 2021
Сообщения
5
Реакции
0
Баллы
0
Расчет параметров транзистора и усилительного каскада в режиме малого сигнала

Всем привет)) Ребят, прошу, помогите, пожалуйста, мне нужно доказать по схемам, почему коэффициент усиления по напряжению в схеме транзистора с общей базой и с общим эмиттером почти одинаковые tehno010
 
А кому нужно? Кому нужно доказать?
 
Всем привет)) Ребят, прошу, помогите, пожалуйста, мне нужно доказать по схемам, почему коэффициент усиления по напряжению в схеме транзистора с общей базой и с общим эмиттером почти одинаковые
Кто Вас такое сказал? Разные режимы транзисторов, соотв и , разные к усиления схем. Вот, в симуляторе, одинаковые схемы, а разный к усиления, в 3 раза разницу даже примерно одинаковой назвать трудно.. Ну, примерно одного порядка, и то трудно назвать.
V2- один и тот же сигнал поступает на входы, с ОЭ схема оказалась больше усиливает, стоит поменять режимы, и можно добиться обратного. Нет, это утверждение , что
коэффициент усиления по напряжению в схеме транзистора с общей базой и с общим эмиттером почти одинаковые
принципиально не верное.
 

Вложения

  • 1.PNG.webp
    1.PNG.webp
    60.7 KB · Просмотры: 32
Последнее редактирование:
Focus 016, преподаватель дал такое задание (в результате расчётов как раз так и вышло, что значения коэффициентов почти равны)
 
derba, я по исходным данным посчитала и получилось, что коэффициент усиления по напряжению значительно больше единицы и почти одинаковый для схем ОЭ и ОБ.
 
Я не считал, я пользуюсь симулятором, вот две схемы, отличаются только R1 и R3, сопротивления в цепи эмиттера. Различаи в 2 раза. А сигналы на выходе различаются всего в 1,33 раза. Тут и изменение к усиления транзистора от тока, и другие параметры. Симулятор у меня LTSpice один из точных, практически полностью повторяет железо.
 

Вложения

  • 1.PNG.webp
    1.PNG.webp
    55.3 KB · Просмотры: 25
Тема о чём ? в режиме малого сигнала т е на пороге открытия транзистора ...
 
Малый сигнал, это не режим малых токов. У меня сигнал на входе 1 ма.
 
Сергей Сергеич, вычисление динамических параметров усилительных каскадов, собранных на маломощном транзисторе, который включается по одной из схем: ОБ, ОЭ и ОК.
 
derba, вот небольшой фрагмент из методички, тут коэффициенты равны
 

Вложения

  • Безымянный.png.webp
    Безымянный.png.webp
    17.6 KB · Просмотры: 34
derba, вот небольшой фрагмент из методички, тут коэффициенты равны

Мне до лампочки методичка. Вот, одна и та же схема, используется в режиме ОЭ и ОБ, и разные усиления. Только есть один способ доказать неверность методички, или симулятора, спаять такую схемку и небольшой генератор, и подать на разные входы. Вот модель, можно скачать симулятор, и проверить.
 

Вложения

  • 1.PNG.webp
    1.PNG.webp
    55.7 KB · Просмотры: 41
  • Draft4.zip
    Draft4.zip
    802 байт · Просмотры: 8
Порог открывания транзистора - напряжение ,
 
Вы все путаете, есть режим микротоков, когда ьтоки оч малы, и вск Вами сказанное верно. В таком режиме шумы транзистора минимальны. Раньше в режиме микротоков делался предварительный усилитель магнитофонов, двойка. Обладает не большим К усиления, но минимальные шумы.

И есть понятие малого сигнала. Это понятие используется для анализа , расчета каскадов, когда можно пренебречь нелинейными искажениям, будет один и тот же коэф передачи тока транзистора для положительной и отрицательной полуволны.
И , пожалуйста, не путайте понятие малого сигнала и режим микротоков.
 
Насчет режима микро токов:
Вот, двойка усилитель, первый каскад в режиме микро токов, VT1 питается через резистор R2 100к, значит полный ток R2 не более 100мкА , и часть тока идет на открытие транзистора VT2, который работает не в режиме микро токов. Это стандартная схема двойки, раньше они стояли в первых каскадах предварительного усилителя магнитофонов и проигрывателей, тут в качестве микрофонного усилителя. Обладает уменьшенным уровнем шумов. Сейчас эту схему практически не используют, есть микросхемы, в частности операционники , которые и шумят меньше, и искажений меньше дают и более стабильно работают (двойка очень чувствительна к напряжению питания) и гораздо выше динамический диапазон.
 

Вложения

  • 5.webp
    5.webp
    16 KB · Просмотры: 41
Вот и более ранняя версия усилителя в режиме микро токов. Но, тут другие проблемы решаются, а не шум.
 

Вложения

  • 3.png.webp
    3.png.webp
    14.4 KB · Просмотры: 20
Всем привет)) Ребят, прошу, помогите, пожалуйста, мне нужно доказать по схемам, почему коэффициент усиления по напряжению в схеме транзистора с общей базой и с общим эмиттером почти одинаковые tehno010
Да, практически одинаковые на низкой частоте.
Входное напряжение на схеме с ОЭ задано источником напряжения 1мкВ,
для схемы с ОБ источником сигнала является источник тока,
на нём напряжение так же 1 мкВ.
Режимы по постоянному току установлены одинаковыми.
Графики выходных напряжений полностью совпадают.
 

Вложения

  • Image 1.png.webp
    Image 1.png.webp
    48.5 KB · Просмотры: 34
Да, практически одинаковые на низкой частоте.
Входное напряжение на схеме с ОЭ задано источником напряжения 1мкВ,
для схемы с ОБ источником сигнала является источник тока,
на нём напряжение так же 1 мкВ.
Режимы по постоянному току установлены одинаковыми.
Графики выходных напряжений полностью совпадают.
Не верно.
1 Графики совпадать ни как не могут в принципе: схема с ОЭ сигнал инвертирует, а с ОБ нет.
2 Сигнал не может быть одинаков. Одинаковое напряжение, но входное сопротивление разное, значит разный ток будет, и значит разное выходное напряжение. И посмотрите мою модель, там один и тот же каскад, только подача сигнала в разные точки , соотв и напряжение на выходе разное.
Тут у Вас похоже на подтасовку результата.
 
Вы должны были сказать: "Не понимаю", если не понимаете, а не: "Не верно".

Не понимаете вы вот что:
1) где измерить входной сигнал схемы с ОБ,
2) какую он имеет фазу относительно входного сигнала схемы с ОЭ.
3) и всё остальное про входные токи, напряжения и сопротивления.
Ваша модель мне нафиг не нужна, хотите разобраться - разбирайтесь с моей.
И вообще, я не вам отвечал, а девочке.
 
Вы должны были сказать: "Не понимаю", если не понимаете, а не: "Не верно".

Не понимаете вы вот что:
1) где измерить входной сигнал схемы с ОБ,
2) какую он имеет фазу относительно входного сигнала схемы с ОЭ.
3) и всё остальное про входные токи, напряжения и сопротивления.
Ваша модель мне нафиг не нужна, хотите разобраться - разбирайтесь с моей.
И вообще, я не вам отвечал, а девочке.
Тут понятно, что факты подтасованы.
И сигналы на входе должны быть идентичны, или сразу обговаривать , что фазировка разная, и прочие не стыковки. Не важно, кому отвечали, а врать не хорошо, а то получится, девочка на Вас понадеется и получит пару.
 
Если вы не понимаете происходящего, это не значит, что факты подтасованы.
 
Назад
Сверху