Не согласен. К примеру. на базе транзистора NPN 2в, относительно эмиттера, это значит: обрыв базы, транзистор надо менять. или тот же NPN, на базе всего 0,3в, относительно эмиттера, а транзистор открыт, значит, пробой КЭ, измерение режимов позволят вычислить неисправный транзистор и ускорят работу. Но, конечно, такую консультацию, что именно менять, это дать заочно не возможно. нужна, карта, напряжение на каждом электроде транзистора, тогда мож и можно вычислить неисправность. Конечно, такая карта будет не совпадать с рекомендованной, ну и что, зная, как работают транзисторы, можно найти неисправность.