Если я прав, то на коллекторе транзистора VT13 максимальный ток примерно 240 mA, а максимальный ток для микроконтроллера 40mA. 4 индикатора по 60mA на сегмент, а в каждом сегменте два светодиода с 3-мя кристаллами r,g,b по 20mA, но так как светодиоды подключены последовательно, считаем как один.
Правильно ли я нашел Rб для VT10 (BC807-16)?
Uп-напряжение питания 12 V
Uупр- напряжение управления транзистора 5 v
Uд1,2 - напряжение светодиодов - 2 V
Iд- ток 1го кристалла светодиода - 20 mA (в данном случае красного)
Total Dissipation- Рассеиваемая мощность (MAX): 0,31 w
Collector-Emitter Saturation Voltage (Uкэ) - Коллектор-эмиттер напряжение насыщения (MAX): 0,7 v
Base-Emitter Saturation Voltage (Uбэ)- База-эмиттер напряжение насыщения (MAX): 1,2 v
hFE - Статический коэффициент передачи тока (MIN): 100
1) Определяем сколько должно упасть на резисторе для тока в 20 mA (светодиоды 1 и 2 подключены последовательно Iд=Iд1=Iд2):
Ur1=Uп-Uд1-Uд2-Uкэ : Ur1=12-2-2-0,7=7,3 v
2) сопротивление R1:
R1=Ur1/Iд : R1=7,3/0,02=365 ом
Беру номинал сопротивления больше 390, отсюда:
Pr=(Ur*Ur)/R1 : Pr=(7,3*7,3)/390=0,14 w
3) ток коллектора при R1 = 390 ом :
Iк=Ur1/R1 : Iк=7,3/390=0,0187 А (18,7 mA)- для 1-го сегмента d линии r4 индикатора HL5,
тогда для для всех (7ми) сегментов:
Iк=18,7*7=131 mA.
4) ток базы :
Iб=Iк/hFE : Iб=131/100=1,31 mA (0,00131 A)
5) Rб:
Urб=Uупр-Uбэ : Urб=5-1,2=3,8 v
Rб=Urб/Iб : Rб=3,8/0,00131=2900 ом (2,9 ком)
Даташит:
Semiconductor and Integrated Circuit Devices ... 6LT1-D.PDF
Если с hFE график ясен(100(min) при 100mA и -55°C, ~180 при 100mA и 25°C и 250(max) при 100mA и 150°C(как в таблице), то
для напряжение насыщения коллектор-эмиттер и напряжение насыщения база-эмиттер взял максимальные значения при Iс=500 mA из таблицы, т.к графики не понятны.
Получается при 500mA VCE(sat)= 0,25 V, при 500mA VBE(sat) = ~1,02 V (в таблице совсем другое).
Правильно ли я нашел Rб для VT10 (BC807-16)?
Uп-напряжение питания 12 V
Uупр- напряжение управления транзистора 5 v
Uд1,2 - напряжение светодиодов - 2 V
Iд- ток 1го кристалла светодиода - 20 mA (в данном случае красного)
Total Dissipation- Рассеиваемая мощность (MAX): 0,31 w
Collector-Emitter Saturation Voltage (Uкэ) - Коллектор-эмиттер напряжение насыщения (MAX): 0,7 v
Base-Emitter Saturation Voltage (Uбэ)- База-эмиттер напряжение насыщения (MAX): 1,2 v
hFE - Статический коэффициент передачи тока (MIN): 100
1) Определяем сколько должно упасть на резисторе для тока в 20 mA (светодиоды 1 и 2 подключены последовательно Iд=Iд1=Iд2):
Ur1=Uп-Uд1-Uд2-Uкэ : Ur1=12-2-2-0,7=7,3 v
2) сопротивление R1:
R1=Ur1/Iд : R1=7,3/0,02=365 ом
Беру номинал сопротивления больше 390, отсюда:
Pr=(Ur*Ur)/R1 : Pr=(7,3*7,3)/390=0,14 w
3) ток коллектора при R1 = 390 ом :
Iк=Ur1/R1 : Iк=7,3/390=0,0187 А (18,7 mA)- для 1-го сегмента d линии r4 индикатора HL5,
тогда для для всех (7ми) сегментов:
Iк=18,7*7=131 mA.
4) ток базы :
Iб=Iк/hFE : Iб=131/100=1,31 mA (0,00131 A)
5) Rб:
Urб=Uупр-Uбэ : Urб=5-1,2=3,8 v
Rб=Urб/Iб : Rб=3,8/0,00131=2900 ом (2,9 ком)
Даташит:
Semiconductor and Integrated Circuit Devices ... 6LT1-D.PDF
Если с hFE график ясен(100(min) при 100mA и -55°C, ~180 при 100mA и 25°C и 250(max) при 100mA и 150°C(как в таблице), то
для напряжение насыщения коллектор-эмиттер и напряжение насыщения база-эмиттер взял максимальные значения при Iс=500 mA из таблицы, т.к графики не понятны.
Получается при 500mA VCE(sat)= 0,25 V, при 500mA VBE(sat) = ~1,02 V (в таблице совсем другое).
