Как инженер-технолог РЭА позволю себе не согласиться по четвёртому пункту.
4.На заводе, с помощью разных технологий соединяю n-тип с р-тип на границе у n-типа положительные у р-типа отрицательные появляется внутренне поле.
Ничего там нигде не соединяют. Вкратце
технология планарно-эпитаксиальных транзисторов выглядит так:
- на подготовленный монокристалл полупроводника (кремния) "капают" донора (мышьяк) и греют до его глубокой диффузии. В дальнейшем это будет коллектором;
- в середину ранее полученного пятна "капают" акцептора (сурьму) и греют до менее глубокого проникновения. В дальнейшем это будет базой;
- в середину пятна ещё раз "капают" донора (мышьяк), только бОльшей концентрации и греют так, чтобы донор продиффундировал почти до коллектора, но не прошёл дальше слоя базы. Это будет эмиттером.
- затем формируют металлические контакты, нарезают на отдельные квадратики и припаивают к корпусу транзистора. Т.о. коллектор оказывается соединённым с металлическим корпусом, а остальные электроды распаивают золотыми проводками.
Как-то так. А то, что схематично рисуют для объяснения принципов работы, является "вырезкой" центральной области в которую капали примеси.
