• Добро пожаловать на компьютерный форум Tehnari.ru. Здесь разбираемся с проблемами ПК и ноутбуков: Windows, драйверы, «железо», сборка и апгрейд, софт и безопасность. Форум работает много лет, сейчас он переехал на новый движок, но старые темы и аккаунты мы постарались сохранить максимально аккуратно.

    Форум не связан с магазинами и сервисами – мы ничего не продаём и не даём «рекламу под видом совета». Отвечают обычные участники и модераторы, которые следят за порядком и качеством подсказок.

    Если вы у нас впервые, загляните на страницу о форуме и правила – там коротко описано, как задать вопрос так, чтобы быстро получить ответ. Чтобы создавать темы и писать сообщения, сначала зарегистрируйтесь, а затем войдите под своим логином.

    Не знаете, с чего начать? Создайте тему с описанием проблемы – подскажем и при необходимости перенесём её в подходящий раздел.
    Задать вопрос Новые сообщения Как правильно спросить
    Если пришли по старой ссылке со старого Tehnari.ru – вы на нужном месте, просто продолжайте обсуждение.

Про транзистор

  • Автор темы Автор темы adapter
  • Дата начала Дата начала
С одной стороны да, барьер базы для для дырок высок и не выгодно дыркам лезть на него по этому некоторые N/h21э всё-таки полезут на него, дыркам проще скатится.
С другой стороны область W1 ближе и энергетически выгодно идти через неё и по этому всё N должны идти череэ неё но это активная область и это rб, вот тут всё равно "не срастается"!
 

Вложения

  • img-MkFN8Y.png.webp
    img-MkFN8Y.png.webp
    21.3 KB · Просмотры: 17
Последнее редактирование:
adapter, Вы написали:
4.На заводе, с помощью разных технологий соединяю n-тип с р-тип на границе у n-типа положительные у р-типа отрицательные появляется внутренне поле.
На каком заводе работаете?
 
adapter, Вы написали:
4.На заводе, с помощью разных технологий соединяю n-тип с р-тип на границе у n-типа положительные у р-типа отрицательные появляется внутренне поле.
На каком заводе работаете?

Это из книг, интернета.
 
Как инженер-технолог РЭА позволю себе не согласиться по четвёртому пункту.
4.На заводе, с помощью разных технологий соединяю n-тип с р-тип на границе у n-типа положительные у р-типа отрицательные появляется внутренне поле.
Ничего там нигде не соединяют. Вкратце технология планарно-эпитаксиальных транзисторов выглядит так:
- на подготовленный монокристалл полупроводника (кремния) "капают" донора (мышьяк) и греют до его глубокой диффузии. В дальнейшем это будет коллектором;
- в середину ранее полученного пятна "капают" акцептора (сурьму) и греют до менее глубокого проникновения. В дальнейшем это будет базой;
- в середину пятна ещё раз "капают" донора (мышьяк), только бОльшей концентрации и греют так, чтобы донор продиффундировал почти до коллектора, но не прошёл дальше слоя базы. Это будет эмиттером.
- затем формируют металлические контакты, нарезают на отдельные квадратики и припаивают к корпусу транзистора. Т.о. коллектор оказывается соединённым с металлическим корпусом, а остальные электроды распаивают золотыми проводками.
Как-то так. А то, что схематично рисуют для объяснения принципов работы, является "вырезкой" центральной области в которую капали примеси.
 
Назад
Сверху