Так, сударь. Если Вы ДЕЙСТВИТЕЛЬНО хотите разобраться в этих вопросах — нужно учиться, читать и т.п. Советую начать с прояснения следующих вопросов:
1. Что такое полупроводник?
2. Каков механизм проводимости в полупроводнике? Что такое электронная и дырочная проводимость?
3. Что такое полупроводник n-типа (донорная примесь)? p-типа (акцепторная примесь)? Основные и неосновные носители.
4. Что такое p-n переход?
5. Что такое потенциальный барьер в p-n переходе? Откуда он берется? Как и чем регулируется его высота?
6. Как работает полупроводниковый диод? Только нужен физический, а не инженерный подход типа "достаём из коробки и подключаем".
7. Распределение потенциала в p-n-p и n-p-n транзисторах как в отключенном виде, так и при подаче рабочих напряжений.
Вот, займитесь на досуге, благо источников информации в Сети — море. А то, судя по Вашим вопросам, Вы воспринимаете транзистор, как радиолампу-триод с положительным потенциалом сетки. Нет, я не отрицаю — кое-что общее у этих приборов есть, но и отличия огромны.
Успехов!
Конечно читал я бы сюда не сунулся если не знал этого. Излагаю максимально кратко и главное, сами понимаете. Так что мне можно открыт тайну ответа на изначальный вопрос. Сэр.
1. Промежуточное место между*проводниками и диэлектриками.
2. Кремний, кристаличекая решётка, два ваентных электрона эти два электрона удерживают соседние атомы при -273 диэлектрик, при выше нуля связь нарушается свободные электроны но их мало(что важно) электронная проводимость, атом без электрона дырка, дырочная проводимость, если приложить внешнее наряжение электроны в одну сторону дырки в другую.
3. кремний 4 сурьма 5 один электрон свободен, донорная, n-типа, много электронов (что важно из пункта 2) дырок нет,основные носители электроны. кремний 4 индий 3, индий забирает электрон, кремний дырка, акцепторная, р-типа, много дырок, оновные носители дырки.
4.На заводе, с помощью разных технологий соединяю n-тип с р-тип на границе у n-типа положительные у р-типа отрицательные появляется внутренне поле.
5. Для преодоления этого внутреннего поля носитель должен обладать более высокой кинетической энергией.
6. Физическое: к n-типу минус источника к р-типу плюс источника потециальный барьер уменьшается носители получают энергию для преодаления барьера , если поменять местами источник барьер увеличится тока нет.
7. Вопрос многозначный! n-p-n . БЭ в прямом вкючении, БК в обратном, ионизированые примиси в коллеторном переходе высокий потенциал соответственно база меньший эмиттер низкий.
))
