• Добро пожаловать на компьютерный форум Tehnari.ru. Здесь разбираемся с проблемами ПК и ноутбуков: Windows, драйверы, «железо», сборка и апгрейд, софт и безопасность. Форум работает много лет, сейчас он переехал на новый движок, но старые темы и аккаунты мы постарались сохранить максимально аккуратно.

    Форум не связан с магазинами и сервисами – мы ничего не продаём и не даём «рекламу под видом совета». Отвечают обычные участники и модераторы, которые следят за порядком и качеством подсказок.

    Если вы у нас впервые, загляните на страницу о проекте, чтобы узнать больше. Чтобы создавать темы и писать сообщения, сначала зарегистрируйтесь, а затем войдите под своим логином.

    Не знаете, с чего начать? Создайте тему с описанием проблемы – подскажем и при необходимости перенесём её в подходящий раздел.
    Задать вопрос Новые сообщения Как правильно спросить
    Если пришли по ссылке со старого Tehnari.ru – вы на нужном месте, просто продолжайте обсуждение.

Напряжение насыщения

  • Автор темы Автор темы KYPA
  • Дата начала Дата начала

KYPA

Ученик
Почётный участник
Регистрация
15 Авг 2011
Сообщения
888
Реакции
15
Баллы
0
Напряжение насыщения

Здрасте. Поясните пожалуйста эту фразу:

Напряжение насыщения КЭ при токе х Ампер равно у Вольт.

Насыщение это когда ток КЭ больше не возрастает при увеличении тока БЭ?
А напряжение насыщения это что? :tehnari_ru_325:
 
Это напряжение, при котором и происходит насыщение
Даня, хорошо объяснил ... :)

Это когда транзистор уже открыт и открывать дальше некуда, от слова - насытиться ... :)
 
Напряжение насыщения КЭ это падение напряжения на этом КЭ?
 
Ребята, а Флуд тут не причем ... :)

Еще проще, если транзистор насытился, дальше как не раскочегаривай его
он больше не откроется, ну это как правило предельные параметры ... :)
 
А что, кроме напряжения насыщения КЭ есть ещё какие-то напряжения насыщения?

Да, есть. БЭ, например.

Насыщение (Uнас) у биполярника - это состояние, когда на обоих pn (np) переходах все свободные электроны ориентированы в одну сторону (теоретически)- то есть полностью открыт (ключевой режим). Тем не менее и как нам известно, любой переход обладает неким ненулевым сопротивлением даже в ключе. И рассеиваемой на транзисторе мощностью. Ну а мощность будет зависеть от произведения Uнас КЭ на ток коллектора (Iкэ) + ток на базе (Iбэ), необходимый для открытия перехода, умноженный на UнасБЭ. Поэтому Uнас - это составное значение, которое определяется из UнасКЭ и UнасБЭ, при фиксированном значении Iкэ, в зависимости от Iбэ.

Поэтому и пишут вид зависимости Uнас от типа измерений - либо при фиксированном токе КЭ, либо выражают UнасКЭ и UнасБЭ через фиксированный коэффициент насыщения (Кнас). Насколько помню, чаще применяется первый вариант измерений.
 
upd: нарыл ГОСТ для наиболее точной формулировки:
"Измерение заключается в измерении напряжения между выводами транзистора при заданных постоянных токах коллектора и базы"

*упрощено - это падение напряжения на КЭ + БЭ (при определенных токах каждого).
 
Спасибо.
Поясните пожалуйста эту фразу:

Напряжение насыщения КЭ при токе х Ампер равно у Вольт.
 
Сопротивление тела коллектора транзистора (речь идёт о паразитном последовательном сопротивлении в коллекторной цепи) при разных токах изменяется, меняется и напряжение насыщения транзистора.
 
Около того. Если не ошибаюсь, ВАх (вольт-амперная зрактеристика) БЭ у кремниевых биполярных транзисторов линейная или близка по форме к линейной. При этом ВАХ на КЭ линейной быть не может. Поэтому и выбирают установленное значение IнасКЭ для определения UнасКЭ.
 
На графиках наблюдается линейная зависимость перехода БЭ по напряжению и току в диапазоне от начала открытия до насыщения. Что-то не так?
 
Я думал у полупроводников не может быть линейной зависимости... :tehnari_ru_942:
 
И правильно думали, полная ВАХ в принципе не может быть прямой. Я сказал только про ее участок положительных значений для перехода БЭ в указанных условиях (от открытия до насыщения). А он близок к прямой (но таковой не является).

Впрочем, это уже частности, поскольку основным параметром будет являться UнасКЭ.
*если желаете вникнуть полностью в методику - читайте ГОСТ 18604.22-78.
 
Назад
Сверху