Всем Добрый День!
Выкладываю результаты финальных испытаний.
Для выставления режимов усилителя в схему пришлось внести несколько дополнений-изменений:
1. Так в источнике тока R8 330 Ом (путём подстройки) поставил 100 Ом, ток покоя получился (поканально) 51 и 49 мА. На выходную синусоиду при 20 кГц это не отразилось (фото прилагаю). Уменьшать это сопротивление дальше не имеет смысла, т.к. с его уменьшением ток покоя снова начинает расти. (Подать частоту выше пока не могу, использую программный генератор на ноутбуке. По этой-же причине пока не могу испытать меандром.)
2. На неинвертирующий вход микросхемы поставил последовательно постоянный резистор 120 кОм и подстроечный 300 кОм. Так можно более точно выставить ноль на выходе.
Все изменения на схеме обозначил красным цветом. Схему прилагаю.
Теперь по режимам:
1. Токи покоя в каналах, как уже писал, 51 и 49 мА.
2. При входном сигнале Uвх.rms -1,05 В на выходе обоих усилителей выходной сигнал Uвых.rms – 11.15 В. Амплитуда выходного сигнала одинакова на нагрузках 4 и 8 Ом. Таким образом получается, что на нагрузку 8 Ом усилитель выдаёт мощность 15,54 Ватт, а на нагрузку 4 Ом – 31,08 Ватта.
3. Максимальные токи общего потребления усилителей на синусе составили 1,18 А на нагрузке 4 Ом и 1,15 А на нагрузке 8 Ом.
4. Температура фланцев выходных транзисторов, после получасового прогона на синусоиде на нагрузку 4 Ома составила 74оС (видимо радиаторы, всё-же, маловаты).
Дальше его бум отслУХивать.
Выкладываю результаты финальных испытаний.
Для выставления режимов усилителя в схему пришлось внести несколько дополнений-изменений:
1. Так в источнике тока R8 330 Ом (путём подстройки) поставил 100 Ом, ток покоя получился (поканально) 51 и 49 мА. На выходную синусоиду при 20 кГц это не отразилось (фото прилагаю). Уменьшать это сопротивление дальше не имеет смысла, т.к. с его уменьшением ток покоя снова начинает расти. (Подать частоту выше пока не могу, использую программный генератор на ноутбуке. По этой-же причине пока не могу испытать меандром.)
2. На неинвертирующий вход микросхемы поставил последовательно постоянный резистор 120 кОм и подстроечный 300 кОм. Так можно более точно выставить ноль на выходе.
Все изменения на схеме обозначил красным цветом. Схему прилагаю.
Теперь по режимам:
1. Токи покоя в каналах, как уже писал, 51 и 49 мА.
2. При входном сигнале Uвх.rms -1,05 В на выходе обоих усилителей выходной сигнал Uвых.rms – 11.15 В. Амплитуда выходного сигнала одинакова на нагрузках 4 и 8 Ом. Таким образом получается, что на нагрузку 8 Ом усилитель выдаёт мощность 15,54 Ватт, а на нагрузку 4 Ом – 31,08 Ватта.
3. Максимальные токи общего потребления усилителей на синусе составили 1,18 А на нагрузке 4 Ом и 1,15 А на нагрузке 8 Ом.
4. Температура фланцев выходных транзисторов, после получасового прогона на синусоиде на нагрузку 4 Ома составила 74оС (видимо радиаторы, всё-же, маловаты).
Дальше его бум отслУХивать.