• Добро пожаловать на компьютерный форум Tehnari.ru. Здесь разбираемся с проблемами ПК и ноутбуков: Windows, драйверы, «железо», сборка и апгрейд, софт и безопасность. Форум работает много лет, сейчас он переехал на новый движок, но старые темы и аккаунты мы постарались сохранить максимально аккуратно.

    Форум не связан с магазинами и сервисами – мы ничего не продаём и не даём «рекламу под видом совета». Отвечают обычные участники и модераторы, которые следят за порядком и качеством подсказок.

    Если вы у нас впервые, загляните на страницу о форуме и правила – там коротко описано, как задать вопрос так, чтобы быстро получить ответ. Чтобы создавать темы и писать сообщения, сначала зарегистрируйтесь, а затем войдите под своим логином.

    Не знаете, с чего начать? Создайте тему с описанием проблемы – подскажем и при необходимости перенесём её в подходящий раздел.
    Задать вопрос Новые сообщения Как правильно спросить
    Если пришли по старой ссылке со старого Tehnari.ru – вы на нужном месте, просто продолжайте обсуждение.

Защита от КЗ

  • Автор темы Автор темы MITRON
  • Дата начала Дата начала
Ишшы - ишшы! ДолжОн бысть!
Ну вот есть такой вариант: Книга Ефимова стр 51-52:Недостатком метода (предложенного Фишером) является относительно высокое напряжение, требуемое для открывания транзистора VT1. При больших токах
нагрузки резистор R1 должен иметь большую мощность рассеивания.
Пусть Iпор=10А, тогда в случае короткого замыкания выхода резистор R1
будет рассеивать мощность 6 Вт. С другой стороны, резистор R1 увеличивает выходное сопротивление устройства, а падение напряжения на нем
уменьшает напряжение нагрузки. Другим недостатком данного схемотехнического решения является трудность установки точного значения порога
срабатывания защиты.
Схема (рис.2.42) иллюстрирует несколько другой подход. Защита срабатывает при напряжении на резисторе-датчике тока R3 не в 0,6 В (как в
схеме рис. 2.41), а всего лишь несколько милливольт. Транзисторы VT4 и
VT5 образуют составной проходной транзистор, остальные элементы относятся к схеме защиты.
Принцип действия основан на известном соотношении:

к2 I
I U ln к1 = ϕ т ,
где ∆U – разность падений напряжений на эмиттерных переходах согласованной пары транзисторов;
ϕт – термический потенциал, равный ≈ 26 мВ при температуре +20°С;
Iк1, Iк2 – коллекторные токи соответствующих транзисторов (VT1 и VT2).
Коллекторный ток VT1: Iк1 = (Uпит – Uбэ1)/R1, где Uпит – напряжение питания схемы защиты.
Если через R3 протекает ток меньший порогового Iпор, то на нем падает напряжение не более нескольких милливольт, то есть к эмиттерному
переходу транзистора VT2 приложено практически такое же напряжение,
что и к одноименному переходу транзистора VT1 (Uбэ1≈Uбэ2). Так как VT1
и VT2 идентичные по параметрам транзисторы, их коллекторные токи
примерно одинаковы (Iк1 ≈ Iк2). Однако из-за того, что R2 > R1 (обычно
R2 = 10⋅R1) транзистор VT2 оказывается насыщенным, падение напряжения
на переходе база-эмиттер VT3 минимальна, и он закрыт. Закрытый транзистор VT3 на работу регулирующего составного транзистора влияния не
оказывает.
Если ток нагрузки превысит Iпор падение напряжения на R3 увеличится настолько, что согласно выражению ∆U = ϕт⋅ln(Iк1 / Iк2) приведет к
уменьшению Iк2, запиранию транзистора VT2 и открытию VT3. Переход
коллектор-эмиттер VT3 при этом шунтирует управляющий эмиттерный
переход составного регулирующего транзистора. Таким образом, выходной ток стабилизатора ограничивается.
Предположим, что на R3 падает напряжение ≈ 60 мВ. Тогда по отношению к напряжениям эмиттерных переходов транзисторов и напряжению
питания схемы защиты Uпит им можно пренебречь. При этом величина
коллекторного тока транзистора VT2: Iк2≈(Uпит – Uбэ3)/R2. Подставив соVT1
Uпит
R1
VT2
VT3
К
Э
Б
R2
R3
VT4
VT5
+
отношения, определяющие токи Iк1 и Iк2, в вышеприведенное выражение
для ∆U получим:

1
2
R
R U = ϕ Тln ,
так как Uбэ1 ≈ Uбэ2. Из последнего следует, что ∆U не зависит от напряжения питания схемы. При R2/R1=10, величина ∆U = 60±(1 – 3) мВ, то есть
порог срабатывания можно задавать с высокой точностью без какой-либо
последующей подгонки, в то время как в схеме (рис. 2.41) порог срабатывания защиты может колебаться в пределах ±(10 – 20)%.
Так как величина термического потенциала ϕт линейно зависит от
температуры, R3 желательно изготавливать из медной проволоки или другого материала с температурным коэффициентом близким к температурному коэффициенту ϕт (+0,33%/°C).
Конденсатор С служит для предотвращения открывания транзистора
VT3 при переходных процессах в схеме ( рекомендуемое значение емкости
конденсатора С=0,005 – 0,015 мкФ).
Если R1=15 кОм, R2=150 кОм, R3=0,6 Ом, то величина порогового тока равна 0,1 А. Для другого значения Iпор сопротивление резисторов R1 и
R2 рассчитываются так. Исходя из максимального входного тока защищаемого проходного транзистора Iвх, определяют ток короткого замыкания Iкз,
который может протекать через транзистор VT3 в момент срабатывания
защиты:
21Э45 h
I
I I пор
кз вх = − ,
где h21э45 – коэффициент передачи тока составного регулирующего транзистора. Затем рассчитывают ток базы VT3 Iбз = Iкз / h21э3 и выбирают сопротивление R2 таким образом, чтобы Iк2 в 5 – 10 раз превышал величину Iбз. Сопротивление резистора R1 выбирают из соотношения
R1=0,1⋅R2. Следует отметить, что соотношение сопротивлений R1 и R2 может быть и иным. При этом порог срабатывания защиты (напряжения на
R3) может изменяться от единиц до сотен милливольт.
Транзистор VT3 может быть, и не согласован с транзисторами VT1 и
VT2. Сами же транзисторы VT1 и VT2 должны быть согласованы. Поэтому
в качестве VT1 и VT2 крайне нежелательно использовать отдельные транзисторы. Целесообразно использовать транзисторные сборки, представляющие собой наборы транзисторов, выполненных в едином кристалле
Можно например использовать сборки к159НТ и подобные -какие мысли?
 
Это чего, полгода уже всё защиту от КЗ делаешь?
 
Я в шоке 3 коммента и все не по делу я делаю защиту которая меня бы устраивала , всё что я смакетировал меня НЕ УСТРАИВАЕТ!
 
всё что я смакетировал меня НЕ УСТРАИВАЕТ!

А что именно тебя не устраивает, какой параметр? Защита не срабатывает? И что за режим работы такой у блока питания, постоянно в КЗ :jazik:
 
А что именно тебя не устраивает, какой параметр?
Высокое напряжение 0.6 в. которое необходимо получить на резисторе, для срабатывания транзистора. невысокаЯ точность 25-30% установки порога срабатывания. Почитай Ефимова .защита которую он описал-конфетка. но знать бы откуда он слямзил, описание тяжело смакетировать там согласованная пара нужна!
 
Высокое напряжение 0.6 в. которое необходимо получить на резисторе, для срабатывания транзистора. невысокаЯ точность 25-30% установки порога срабатывания. Почитай Ефимова .защита которую он описал-конфетка. но знать бы откуда он слямзил, описание тяжело смакетировать там согласованная пара нужна!

Так в чем проблема? Закон ома вспоминаем, для участка цепи и считаем сопротивление датчика тока. Порог 0.6. Отлично. Ток какой максимальный? Что тут изобретать? Номинал резистора и определит порог срабатывания защиты.
 
Ефимова .защита которую он описал
потому она и
, что
там согласованная пара нужна!

Вот рабочая схема блока питания с защитой .
У меня работает с конца 80-х годов прошлого века. Делал специально для ремонта и проверки автомобильных аппаратов.
 

Вложения

  • f.1986-09.059.webp
    f.1986-09.059.webp
    222.8 KB · Просмотры: 81
  • f.1986-09.060.webp
    f.1986-09.060.webp
    81.5 KB · Просмотры: 40
Последнее редактирование:
Я тоже такую схему собирал. Наткнулся на похожую статейку в журнале "Радио" в году 90-м, когда в техникуме учился.Схема рабочая, но в дело её не пустил. Разобрал...
 
Порог 0.6. Отлично. Ток какой максимальный? Что тут изобретать? Номинал резистора и определит порог срабатывания защиты.
Это всё давно сделано! На резисторе-датчике около 560 мв. это много при использовании метода из Ефимова порядка 40-60 мв. . Чуешь разницу-на порядок, а значит и рассеивать такой рез будет меньше . Про точность установки Тока я наверное повторять не буду. тк понял . что донести НЕ СМОГУ!
 
Вот рабочая схема блока питания с защитой .
это обыкновенная тиристорная защита, схему которой я отклонил на этапе анализа схемотехники да и такого тиристора у меня НЕТ! Хотя схема самого стаба похожа на мою!
 
Это всё давно сделано! На резисторе-датчике около 560 мв. это много при использовании метода из Ефимова порядка 40-60 мв. . Чуешь разницу-на порядок, а значит и рассеивать такой рез будет меньше . Про точность установки Тока я наверное повторять не буду. тк понял . что донести НЕ СМОГУ!

Для чего БП проектируется? Какая нагрузка будет, какую схему будет питать? Интересно в плане того, что принципиальна даже мощность рассеивания шунта.
 
Последнее редактирование:
на двух тразисторах разной структуры сделали бы простой стаб с автозащелкой и не морочили бы голову себе. радио12/84
 
Усь Солнцева. Классика жанра. Я такой , правда более простой стаб за 35 лет не смог от перегрузок сжечь. При достижении определенного тока он мгновенно закрывается.Но у меня на кт805 в пластике и ГТ403 .Никаких датчиков ,никаких тиристоров и прочих костылей.
Статья Чубинского радио10/1974
 
Последнее редактирование:
Усь Солнцева. Классика жанра. Я такой , правда более простой стаб за 35 лет не смог от перегрузок сжечь. При достижении определенного тока он мгновенно закрывается.Но у меня на кт805 в пластике и ГТ403 .Никаких датчиков ,никаких тиристоров и прочих костылей.

А ведь действительно, даже помню удивился, что нет в том блоке питания предохранителей))
 
Назад
Сверху